这种材料是两种化合物的复合体：钽 - 钯 - 硒化合物（Ta2Pd3Se8）和钽- 铂 - 硒化合物（Ta2Pt3Se8）。早在30多年前，人类就能够合成TaPdSe和TaPtSe晶体，而这两种新材料的组成部分则通是过微机电分离技术获取自对应的化合物晶体。 俄罗斯莫斯科国立科技大学（National University of Science and Technology）由数学和物理学博士帕维尔·索罗金（Pavel Sorokin）领导的研究团队完成了新材料的理论工作，而美国新奥尔良杜兰大学的Jiang Wei领导的研究团队完成了实验部分。帕维尔·索罗金就职于国立科技大学，是纳米尺度架构理论材料科学和无机纳米材料实验室的负责人。近日，他就此材料对人类生活可能带来的长远影响接受了俄罗斯国立新闻集团记者的采访。记者：索罗金先生，您领导下完成的该材料理论工作有什么重要意义？这种新材料所代表的未来半导体材料相较于现有同类材料到底有何不同？ 索罗金：我们和美国同行一起致力于制造更紧凑，速度更快的电子器件。理论上来说，有了我们的新材料后，将有可能把电路缩小到纳米尺度，同时，这样的电路运行速度将更快，而能耗则更低。更重要的是，这种材料的应用范围将越来越广。而电子器件的速度和其他参数都直接取决于导电材料的质量。我们之前成功地制造出了纳米尺度的导线，因此我们尝试将这种导线用于制造革命性的新型电子系统。如果纳米电子器件得以普及，那么我们身边的所有电子系统能可以变得更智能，体积更小。而光中继器件、光敏二极管、传感器和其他电子设备的响应速度可以更快，而耗电则将更低。 记者：新发明的“纳米工程材料”会给电子工业带来怎样的巨大改变？ 索罗金：微电子和光电子工业是受益**的部门。新材料可以提供独特的光电、机械、化学和生物特性。 新材料**的特点在于：它是一种尺度非常小的一维纳米结构材料，材料的直径达到了让我们为之骄傲的及小尺寸。此外，我们获得材料的加工方法也与传统方法迥然不同。一般来说，目前获得纳米线的方法就是把石墨烯和二硫属元素材料切割成带状。以上两点就是我们研发出的新材料的巨大优势。由于（材料化合物的）晶体是由互联的、宽度相同纳米带组成的，于是我们就是总是可以抽取出同样宽度的纳米带，此外，我们还实现了实现了流水线化连续抽取。 记者：说到这里我不禁要问，您认为是什么动机促使科学家去探索未知的？新的发现是突然产生的，还是通过漫长艰苦的试错才产生的？ 索罗金：新材料的研发工作可以追溯到2010年我在德克萨斯州莱斯大学做博士后期间的工作。我所在团队的负责人鲍里斯·雅克比松（Boris Jacobson）教授是位很早就定居美国的俄罗斯移民，也是该领域出类拔萃的专家。他教导我以不同的视角看待问题，从被普遍认为已经研究透了的领域发掘出新的东西。 雅克比松教授和我博士导师列昂尼德·切诺扎东斯基（Leonid Chernozatonsky）的教导使我受益良多。在莱斯大学我遇到了蒋伟，他是一个天赋和干劲都属上佳的博士后。3年后我回到莫斯科，在Jiang Wei的提议下，我们开始进行合作研究。合作成果发表在了《Nature Physics》上，这是个不错的开局。 Jiang Wei接下来的建议是共同研究一种理论上可能存在的晶体。我们计算了它的结构，发现它很可能是一种“接近1维”的半导体。 尽管20世纪80年代就被发现，但钽-钯（铂）-硒化合物太过复杂，因此之前从未被系统研究过。该化合物晶体由弱链接的条带组成，其结构类似于过渡金属二硫族化合物中的条带结构。科学家们研究二硫化钼或二硫化钨等过渡金属的二硫化合物中的条带结构（可以看作是2维的）已经很长时间，因为该化合物可以提高半导体的特性。在传统硅材料的潜力日益被挖尽的时代，这类化合物提供了很有潜力的解决方案。这类化合物的结构有点像三明治：一层硫族元素——硒或者硫——下来是一层过渡金属原子——钨或钼，然后又是一层硫族元素，如此这般。人类早已制造出二维层状结构的过渡金属二硫化物半导体。但是，我们认为，我们可以进一步造出一维结构来。如果能实现，那么就可以制造出尽可能小的半导体原件。然而再实验中，我们的确遇到了不少麻烦。从三明治结构中分离纳米带状结构被证明是几乎不可能完成的任务，难度太大，勉强取出的纳米带状结构，性能也不怎么样。记者：2004年，科学界**认为，石墨烯是21世纪的半导体材料。你如何想到了现在这条全新的致胜思路呢？ 索罗金：我们突然意识到，我们根本就不该切割三明治结构，因为这种三明治结构本身就是我们寻找的目标！ Jiang Wei完成了实验。实验非常简单：他用胶带从晶体上粘了一个薄层下来，然后就获得了所需的纳米结构。胶带法也是用来获得石墨烯的实验室方法。它尽管简单，却非常有效，可以获得高质量的纳米尺度材料。在胶带的帮助下，Jiang Wei制造出了厚度只有1纳米的纳米条带。此外，我们的美国同行还用这种材料制造了1个三极管。同时，莫斯科的团队研究了纳米条带，以及多纳米条带组成的纳米长索的结构和电特性。我们还有很多工作要做。目前，我们获得了多种互联的纳米条带。未来，我们希望能在除了钽-钯（铂）-硒化合物之外的新材料中，发现新的纳米结构。考虑到钽-钯（铂）-硒化合物的众多有着众多的表亲，这一点几乎肯定能够做到。

据中国半导体工业协会（CSIA）的数据，2013年中国半导体销售额2408亿元，同比增长11.6%，其中设计808.8亿元，增长30.1%；制造600.8亿元，增长19.9%；封装1098.8亿元，增长6.1%，而进口半导体芯片为2313亿美元。根据安邦半导体产业顾问莫大康提供的数据，在2013年中国半导体前10大制造商中，外商占4家，包括如SK、Hynix、Intel、TSMC及和舰，不包括在成都的德州仪器。总销售额为454.1亿元，其中4家外资为187.5亿元，占比贡献为41.2%。在2013年中国前10大封装制造商中，外商占7家（未计及西安的美光），总销售额为442.9亿元，其中外资为257.9亿元，占比贡献为58.2%。半导体业如此巨大的市场，半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础，摩尔定律，给电子业描绘的前景，必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高，功能更强大。新材料在线小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。1、单晶炉设备名称：单晶炉。设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。主要企业（品牌）：国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。主要企业（品牌）：国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）设备名称：分子束外延系统。设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。主要企业（品牌）：国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVTAssociates公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten公司、英国Oxford Applied Research（OAR）公司。国内：沈阳中科仪器、北京汇德信科技有限公司、绍兴匡泰仪器设备有限公司、沈阳科友真空技术有限公司。4、氧化炉（VDF）设备名称：氧化炉。设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。主要企业（品牌）：国际：英国Thermco公司、德国Centrothermthermal solutions GmbH Co.KG公司。国内：北京七星华创、青岛福润德、中国电子科技集团第四十八所、青岛旭光仪表设备有限公司、中国电子科技集团第四十五所。5、低压化学气相淀积系统（LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition System）设备名称：低压化学气相淀积系统设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。主要企业（品牌）：国际：日本日立国际电气公司、国内：上海驰舰半导体科技有限公司、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。6、等离子体增强化学气相淀积系统（PECVD，Plasma Enhanced CVD）设备名称：等离子体增强化学气相淀积系统设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。主要企业（品牌）：国际：美国Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（Lam Research）公司、荷兰ASM国际公司。国内：中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。7、磁控溅射台（MagnetronSputter Apparatus）设备名称：磁控溅射台。设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。主要企业（品牌）：国际：美国PVD公司、美国Vaportech公司、美国AMAT公司、荷兰Hauzer公司、英国Teer公司、瑞士Platit公司、瑞士Balzers公司、德国Cemecon公司。国内：北京仪器厂、沈阳中科仪器、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所、科睿设备有限公司、上海机械厂。8、化学机械抛光机（CMP，Chemical Mechanical Planarization）设备名称：化学机械抛光机设备功能：通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。主要企业（品牌）：国际：美国Applied Materials公司、美国诺发系统公司、美国Rtec公司、。国内：兰州兰新高科技产业股份有限公司、爱立特微电子。9、光刻机（Stepper，Scanner）设备名称：光刻机。设备功能：在半导体基材上（硅片）表面匀胶，将掩模版上的图形转移光刻胶上，把器件或电路结构临时“复制”到硅片上。主要企业（品牌）：国际：荷兰阿斯麦（ASML）公司、美国泛林半导体公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美国ABM公司、德国德国SUSS公司、美国MYCRO公司。国内：中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、上海机械厂、成都南光实业股份有限公司。10、反应离子刻蚀系统（RIE，Reactive Ion Etch System）设备名称：反应离子刻蚀系统。设备功能：。平板电极间施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，放入式样，离子高速撞击式样，实现化学反应刻蚀和物理撞击，实现半导体的加工成型。主要企业（品牌）：国际：日本Evatech公司、美国NANOMASTER公司、***REC公司、韩国JuSung公司、韩国TES公司。国内：北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所。11、ICP等离子体刻蚀系统（ICP, Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System）设备名称：ICP等离子体刻蚀系统。设备功能：一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室中，在外部能量作用下（如射频、微波等）形成等离子体，一方面等离子体中的活性基团与待刻蚀表面材料发生化学反应，生成可挥发产物；另一方面等离子体中的离子在偏压的作用下被引导和加速，实现对待刻蚀表面进行定向的腐蚀和加速腐蚀。主要企业（品牌）：国际：英国牛津仪器公司、美国Torr公司、美国Gatan公司、英国Quorum公司、美国利曼公司、美国Pelco公司。国内：北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、中国电子科技集团第四十八所、戈德尔等离子科技（香港）控股有限公司、中国科学院微电子研究所、北方微电子、北京东方中科集成科技股份有限公司、北京创世威纳科技。12、离子注入机（IBI，Ion Beam Implanting）设备名称：离子注入机。设备功能：对半导体表面附近区域进行掺杂。主要企业（品牌）：国际：美国维利安半导体设备公司、美国CHA公司、美国AMAT公司、Varian半导体制造设备公司（被AMAT收购）。国内：北京仪器厂、中国电子科技集团第四十八所、成都南光实业股份有限公司、沈阳方基轻工机械有限公司、上海硅拓微电子有限公司。13、探针测试台（VPT，Wafer prober Test）设备名称：探针测试台。设备功能：通过探针与半导体器件的pad接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能要求。主要企业（品牌）：国际：德国Ingun公司、美国QA公司、美国MicroXact公司、韩国Ecopia公司、韩国Leeno公司。国内：中国电子科技集团第四十五所、北京七星华创电子有限公司、瑞柯仪器、华荣集团、深圳市森美协尔科技。14、晶片减薄机（Back-sideGrinding）设备名称：晶片减薄机。设备功能：通过抛磨，把晶片厚度减薄。主要企业（品牌）：国际：日本DISCO公司、德国G&N公司、日本OKAMOTO公司、***Camtek公司。国内：兰州兰新高科技产业股份有限公司、深圳方达研磨设备制造有限公司、深圳市金实力精密研磨机器制造有限公司、炜安达研磨设备有限公司、深圳市华年风科技有限公司。15、晶圆划片机（DS，Die Sawwing）设备名称：晶圆划片机。设备功能：把晶圆，切割成小片的Die。主要企业（品牌）：国际：德国OEG公司、日本DISCO公司。国内：中国电子科技集团第四十五所、北京科创源光电技术有限公司、沈阳仪器仪表工艺研究所、西北机器有限公司（原国营西北机械厂709厂）、汇盛电子电子机械设备公司、兰州兰新高科技产业股份有限公司、大族激光、深圳市红宝石激光设备有限公司、武汉三工、珠海莱联光电、珠海粤茂科技。16、引线键合机（Wire Bonder）设备名称：引线键合机。设备功能：把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。主要企业（品牌）：国际：美国奥泰公司、德国TPT公司、奥地利奥地利FK公司、马来西亚友尼森（UNISEM）公司。国内：中国电子科技集团第四十五所、北京创世杰科技发展有限公司、宇芯（成都）集成电路封装测试有限公司（马来西亚友尼森投资）、深圳市开玖自动化设备有限公司。1、单晶炉：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司 ……2、气相外延炉：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司……3、分子束外延系统：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCA Instruments公司……4、氧化炉：英国Thermco公司、德国Centrotherm thermalsolutions GmbH Co.KG公司……5、低压化学气相淀积系统：日本日立国际电气公司……6、等离子体增强化学气相淀积系统：美国Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司……7、磁控溅射台：美国PVD公司、美国Vaportech公司、美国AMAT公司……8、化学机械抛光机：美国Applied Materials公司、美国诺发系统公司、美国Rtec公司……9、光刻机：荷兰阿斯麦（ASML）公司、美国泛林半导体公司、日本尼康公司……10、反应离子刻蚀系统：日本Evatech公司、美国NANOMASTER公司、***REC公司……11、ICP等离子体刻蚀系统：英国牛津仪器公司、美国Torr公司、美国Gatan公司……12、离子注入机：美国维利安半导体设备公司、美国CHA公司、美国AMAT公司……13、探针测试台：德国Ingun公司、美国QA公司、美国MicroXact公司……14、晶片减薄机：日本DISCO公司、德国G&N公司、日本OKAMOTO公司……15、晶圆划片机：德国OEG公司、日本DISCO公司……

半导体产业是中国正在全力发展的一个产业，这个关系到国民经济命脉的产业受到了****的关注，但从目前状况看来，中国半导体产业在上中下游和国际＊＊水平还有很大的差距，这次我们来了解一下2016年中国半导体市场及上下游产业链分布，帮助中国半导体人有的放矢的投入研发。设备和材料是半导体产业的上游核心环节。集成电路占半导体总市场的八成，是半导体的主要构成部分。美国半导体产业协会（SIA）**发布的数据显示，2015 年全球半导体市场规模为3,352 亿美元，比2014 年略减0.2%。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。其中规模**的是集成电路，达到2,753 亿美元，占半导体市场的81%。由于半导体产品中大部分是集成电路，因此二者常常被混为一谈，在此特别说明二者的异同，以免混淆。1、设备和材料在半导体产业链中位于上游，是半导体制造所需的工具和原料    经过50 多年的发展，如今的半导体产业已经高度专业化。我们以集成电路（IC）产业为例来说明产业的分工。集成电路产业经过了几十年不断的发展与演变，在1970 年代以前，由系统厂商（System）和IDM 厂商主导，之后演变为IC 设计、晶圆代工和封装测试为主导的垂直分工模式。随着IC 产业规模的壮大，产业竞争加剧，分工模式进一步细化，从封装测试环节中分出测试，从IC 设计环节分出了专门提供IP 的厂商（如ARM）。    半导体设备和材料处于IC 产业的上游，为IC 产品的生产提供必要的工具和原料。当前IC 产业的商业模式可以简单描述为，IC 设计公司根据下游客户（系统厂商）的需求设计芯片，然后交给晶圆代工厂进行制造，之后再由封装测试厂进行封装测试，**将性能良好的IC 产品出售给系统厂商。IC 设计、晶圆制造、封装测试是IC 产业的核心环节，除此之外，IC 设计公司需要从IP/EDA 公司购买相应的IP 和EDA 工具，而IC 制造和封装测试公司需要从设备和材料供应商购买相应的半导体设备和材料化学品。因此，在核心环节之外，集成电路产业链中还需要IP/EDA、半导体设备、材料化学品等上游供应商。    2、半导体生产工艺复杂，对半导体设备和材料的要求极高    集成电路产业按照摩尔定律持续发展，制程节点不断缩小，今年将量产10 纳米。摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登〃摩尔（Gordon Moore）于1965 年提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。几十年来，集成电路产业沿着摩尔定律发展，1971年集成电路的制程节点是10 微米（百分之一毫米），今年台积电将开始量产10 纳米（十万分之一毫米），技术节点缩小到千分之一，意味着晶体管面积缩小百万分之一。    82 平方毫米的集成电路产品中有超过十亿颗晶体管，制造工艺极其复杂。英特尔在2015 年CES 展会上发布的第五代酷睿处理器系列，采用14nm 3D 三栅极晶体管技术打造，U 系列核心面积相比采用22nm 3D 三栅极集体管技术的第四代酷睿U 系列处理器缩小了37%，但所集成的晶体管数量提升了35%，达到13 亿个！这使得第五代酷睿处理器与同级别第四代酷睿处理器相比，显卡性能**提升22%，视频处理器能力**提升50%，电池续航时间*多延长1.5 小时。第五代处理器芯片的面积仅82 平方毫米，在如此小的面积上要集成13 亿个晶体管，其制造难度可想而知。    半导体制造技术十分精细，制造工艺的极其复杂，对设备和材料的要求非常苛刻。根据产品的不同，集成电路生产需经过几十步甚至上千步的工艺，其中任何一步的错误都可能是**导致器件失效的原因，因此对设备和材料的要求非常高，且对每一步的良率要求极高，通常要达到3 个9 以上的良率。在20nm 技术节点，集成电路产品的晶圆加工工艺步骤约1000 步，在7nm 时将超过1500 步。假设每一步的加工合格率为99.0%（2个9），那么经过1000 步加工之后，其合格率为零！当每一步的加工合格率为99.99%（4 个9）时，经过1000 不加工，其合格率才能达到90%。因此，集成电路制造过程中对设备和材料的稳定性要求极高。 3、半导体设备和材料规模合计超800 亿美元，呈寡头垄断局面    半导体设备行业门槛极高，处于寡头垄断局面，国内产业相对薄弱。从全球范围看，美国、日本、荷兰是世界半导体装备制造的三大强国，全球知名的半导体设备制造商主要集中在上述国家。根据SEMI 的统计，2014 年全球半导体设备市场规模为375 亿美元，前十大半导体设备厂商的销售额为351 亿美元，市场占有率高达93.6%，行业处于寡头垄断局面。前十大半导体设备生产商中，有美国企业4 家，日本企业5 家，荷兰企业1 家。其中美国的应用材料公司（AMAT）以79.4 亿美元的销售额位居****，全球设备市场市占率21.2%；荷兰阿斯麦（ASML）公司以75.5 亿美元的销售额位居全球第二，全球设备市场市占率20.1%；日本的东京电子（TEL）销售额为55.4 亿美元，位列第三，全球设备市场市占率14.8%。美国公司在等离子体刻蚀设备、离子注入机、薄膜沉积设备、掩模版制造设备、检测设备、测试设备、表面处理设备产品中具有竞争优势；日本公司在光刻机、刻蚀设备、单晶圆沉积设备、晶圆清洗设备、涂胶机/显影机、退火设备、检测设备、测试设备、氧化设备等产品中具有竞争优势，荷兰公司则在高端光刻机、外延反应器、垂直扩散炉等领域处于＊＊地位。2014 年全球十大半导体设备商排名及相关收入中国电子专用设备工业协会统计显示，2014 年我国半导体设备行业35 家主要制造商共完成40.53 亿元销售收入，同比增长34.5%；实现利润8.48 亿元，同比增长13.8%；出**货值4.41 亿元，同比增长50.5%；预计2015 年销售收入将达到50 亿元左右，同比增长25%。这35 家设备厂商的销售额中并非全部来自半导体设备，有一部分是太阳能设备，实际半导体设备的销售规模更小。假设2014 年国内半导体设备的销售额为40.53 亿元，仅占全球半导体设备市场份额的1.7%，处于可以忽略的地位，半导体设备的落后程度可见一斑。    半导体材料市场同样处于寡头垄断局面，国内产业规模非常小。2014 年全球晶圆制造和半导体封装材料市场分别为239.7 亿美元和203.7 亿美元，二者合计443.4 亿美元。大陆地区是全球主要的半导体材料市场，2014 年大陆地区半导体制造材料市场整体规模为535 亿元（约86 亿美元），占全球半导体材料市场的19.4%。根据产业现状及发展趋势预测，大陆地区半导体制造材料2015、2016 年市场整体规模有望持续增长，分别达到590 亿元、647 亿元。与半导体设备市场不同的是，半导体材料市场更细分，单一产品的市场空间很小，所以，少有纯粹的半导体材料公司。半导体材料往往只是某些大型材料厂商的一个块业务。尽管如此，由于半导体工艺的对材料的严格要求，就单一半导体化学品而言，仅有少数几家供应商可以提供产品。以半导体硅片市场为例，2013 年前四大硅片供应商分别占据全球市场份额的36%、29%、12%和8%，合计占据85%的市场份额。在半导体光刻胶市场，也是类似的情况。    4、设备和材料是推动半导体产业进步的关键因素    集成电路产业能够延续摩尔定律的不断发展，离不开三方面的进步：1）半导体器件结构和原理的进步；2）半导体设备制造能力的提升和半导体制造工艺的改进；3）材料性能的改善和新材料的应用。    1) 摩尔定律接近极限，超越摩尔引起重视简言之，摩尔定律就是技术进步带来生产效率提升和生产成本的下降。过去半个世纪，集成电路产业基本上是按照摩尔定律不断发展。业界普遍认为集成电路产业发展到5nm技术节点时，将达到摩尔定律的物理极限，摩尔定律有可能将失效。今年半导体产业将进入10nm 制程，已经趋于接近摩尔定律的物理极限，延续摩尔定律的先导技术研究成为全球半导体行业的热点，后摩尔定律时代的技术也成为研究的热点。    全球集成电路技术的发展呈现出以下趋势：一是延续摩尔定律（MoreMoore），芯片特征尺寸沿着不断缩小的方向继续发展。基于投资规模和技术研发成本的考虑，放弃超小型化制造技术的芯片厂商日益增多，转向Fablite 或Fabless，高阶制程将掌握在少数几家企业手中，芯片制造呈现聚拢趋势；二是超越摩尔定律（MorethanMoore），开发新的半导体材料，运用电子电路技术和电路设计等的概念，在物理结构和器件设计方面产生新的突破，如三维封装、3D 晶体管结构等。    2) 半导体产业进步离不开半导体设备的不断创新    按照摩尔定律，每18-24 个月集成电路的制造技术就要进步一代，那么设备厂商就必须每18-24 个月推出更先进的制造设备，以满足制造工艺的需求。以光刻机为例，光刻机历经50 多年的发展，其分辨率从*初大于10 微米发展到如今的10 纳米及以下，分辨率至少提升了3 个数量级。    光刻机的分辨率主要取决于曝光光源的波长和镜头光学系统的数值孔径NA。为了实现技术的进步，光刻机经历了以下几个方面的进步：1）曝光光源的波长经历了514nm、436nm（g-Line）、405nm（H-Line）、365nm（i-Line）、248nm（KrF）、193nm（ArF）、157nm（F2）、13.5nm（EUV，即将大规模使用）等几个阶段的进步；2）曝光方式经历了接触式（Contact）、接近式（Proximity）、投影式（Projection）三种方式，其中投影式又可分为步进式（Stepper）、扫描式（Scanner）、扫描步进（Scanning Stepper）三种形式；3）干式投影发展到浸没式投影；4）加工硅片的直径：经历了75mm、100mm、150mm、200mm、300mm，以及未来的450mm；5）产出效率：由*初的一小时不足50 片Wafer 到现在超过200 片。    技术的进步，也带动光刻机产品单价的持续上涨。根据SEMATECH 的研究，1970 年代，光刻机的单价在几十万美元，并且约每4.4 年价格翻一倍。目前，先进光刻机的单价一般都超过1000 万美元，而**进的EUV 光刻机单价超过5000 万美元。EUV 是实现10nm 以下工艺制程的*经济手段，不过当前技术还不够成熟，且只有只有ASML一家供应商具备开发EUV 光刻机的能力。2012 年半导体三巨头英特尔、台积电、三星分别投资阿斯麦33.67 亿欧元、11.14 亿欧元、7.79 亿欧元，用于帮助ASML 开发EUV技术，并获得ASML 的部分股权。三巨头投资ASML 的主要原因是推动EUV 技术快速实现量产，以及EUV 设备的优先购买权。  3) 半导体行业使用的材料种类越来越多    随着半导体器件结构的变化和半导体制程复杂程度的提高，在半导体产业采用的化学元素越来越多。在1985 年，化学元素周期表中只有11 种元素用于半导体行业。而到了2015 年，半导体行业使用的化学元素种类达到49 种。除了材料种类的增多，半导体材料也随着半导体制程的进步而不断发展。   硅（Si）是目前*重要的半导体材料，全球95%以上的半导体芯片和器件是用硅片作为基底功能材料而生产出来的。在可预见的未来，还没有其它材料（如石墨烯等）可以替代硅的地位。在1960 年时期就有了0.75 英寸(约20mm)左右的单晶硅片。在1965 年左右Gordon Moore 提出摩尔定律时，还是以分立器件（Discrete）为主的晶体管（Transistor），然后开始使用少量的1.25 英寸小硅片，进而集成电路用的1.5 英寸硅片更是需求大增。之后，经过2 英寸，3 英寸， 1975 年4 英寸登场开始在全球普及，接下来5 英寸，6 英寸，8 英寸，然后从2001 年开始进入12 英寸。预计在2020 年左右，18 英寸（450mm）的硅片将开始投入使用。    此外，还出现了新的硅材料——SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅），SOI技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。    SOI 材料具有以下突出优点：1、低功耗；2、低开启电压；3、高速；4、提高集成度；5、与现有集成电路完全兼容且减少工艺程序；6、耐高温；7、抗辐照等。基于SOI 结构上的器件在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI 广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS 等其它领域得到应用。

华为***任正非曾说：“再不可以忽悠中国消费者了。什么“物美价廉”，什么“让消费者享受低价”等等。这些东西都是靠不住的。提升产品品质，需要巨大的投入和决心，需要几十年厚积薄发。你一味低价，就没有好产品。而消费者根上的需求是好产品，是高品质的产品。企业满足不了他们的需求，就把他们逼出中国，到日本等国去狂购”过度价格战，低价竞争，不仅损害同行、累死自己、坑死消费者，损害中国的产业链，更损害中国商业的未来。1、饿死同行比如在同一个地区，有50家同类型的厂家，而同一个地区里有50家需要产品的经销商，如果有一个厂家用低价搞定了10家经销商，那剩下的49家就只有40个机会了，接不到订单的就直接饿死。长此以往，市场就被扰乱。2、累死自己厂家毛利率控制在20%左右属于正常范围，可实际上有的厂家为了有生意做，毛利率5%也在接，有的2%，甚至更低。接到单了，当然高兴，小作坊热火朝天日夜不停地赶着工期，营销部天天忙着发单，安排发货。在这看似繁荣的背后，这些厂家的日子真的好过吗？到年底一算账，除去工人工资，房租费，水电费，市场推广费，物流费，卫生费，网络费，电话费，各类罚款，唉，辛辛苦苦干一年，到头来就剩下三瓜两枣，还不如给别人打工赚的多，何苦呢？有一句行话叫“买的永远没有卖的精”，不是内行人永远不知道家居建材行业这水有多深。近段时期，越来越多的家居建材企业负责人抱怨，低价竞争已经扰乱了正常的行业秩序。“不管什么样的产品，总有更低价格的产品出现。不管下游的用户给出的价格有多低，总有人会接单。从生产的角度来看，这样的价格根本无法保证利润率，如果他们能做，那也肯定是在原材料和工艺上偷工减料了。”长此以往，行业的健康发展势必受到威胁，中国制造的影响力一定会下降。3、坑死下游消费者买家以为占了个大便宜，殊不知*该哭的是自己。经常听到各种客户抱怨问题，殊不知原材料成本上涨严重，各方面成本居高不下，这么低的价格能买来什么样的高质量的产品呢？贪图便宜*终损害的是自己的切身利益。4、中国商业会失去未来——消费升级，中国泛中产阶级在兴起，物美价廉失去未来中国的消费者在升级，中国已经不再是改革开放之初、那种整体收入和消费能力都比低的状态，经过30多年的发展，中国已经成为世界第二大经济体，人均收入更是比以前大幅提升，中国人甚至在2014年购买了全球46%的奢侈品，2014年，中国公民出境旅游突破1亿次，境外消费超过1万亿，中国人成为了国外不可忽视的消费群体，甚至一些商场都专门推出了针对中国消费者的政策、甚至专门服务的导购。这些都说明，中国的消费不再是过去的消费状态，已经有了很大的升级，中国的泛中产阶级正在兴起。中国人在国际市场的消费堪称惊人面对这个冲击，如果中国的企业不提升产品和品牌的竞争力，提高附加值，将会失去中国市场，中国消费者海外采购消费力证明了中国不是缺乏消费力，而是“中国的产品没有满足中国消费者成长、提升的需求”，如果不能提升，将会失去中国市场，倘若不能推出优质、有竞争力的产品，就如如任正非所说，将失去未来战略竞争力。低价竞争意味着企业不会有充足的资金投入研发、设计、制造，缺乏了研发、设计，企业就会在产业链关键环节失去竞争力，就会影响产品的品质和质量，就会在消费者心中形成恶劣印象，就会继续拉低中国制造的形象，把消费者逼到国外购买产品。这两年，作为中国民企、中国科技领军企业的华为之所以持续巨大成功，就是因为华为走到今天，一心一意提供好产品。为此，几十年如一日，每年都拿出巨额资金搞研发。过去十年，华为累积投入2400亿元搞研发，17万员工中研发人员的比例高达45%。华为在全球设立16个研发中心，31个联合创新中心，加入170多个彼岸准组织和开源组织。截止2015年12月3日，华为累计获得＊＊授权50337件。全****流的数学家、物理学家、化学家纷纷聚集在华为。2016年频繁提及的“供给侧”调整，强化在供给侧发力，也正是针对这一趋势做出的高瞻远瞩的对策，工信部将在供给侧改革发力，以增品种、提品质、创品牌为主线，开展改善消费品供给专项行动，促进轻工、纺织、食品、医药、智能硬件等产业创新发展。5、致可爱的客户 生活的格调在于您的品味，产品的质量在于您的选择！只选对的，时间会证明您的理性和远瞻！好贵，没错，因为好，所以贵！产品贵在品质，人贵在品味！ 服务的前提是利润，利润空间可以被挤压，但不能消失，否则连同利润一起消失的还有服务。请不要一味的过度要求，每个公司都要生存，你拿走了厂家的生存空间，服务、品质怎么保障？ 做企业就是做良心，我们宁愿为价格解释一阵子，也不要因为品质，向客户道歉一辈子！以低价接单的企业只看重眼前利益，看似迫不得已的个体选择却在危害行业整体的健康发展。这样的经营模式持续不了多久，而且在行业转型升级的过程中，企业也丧失了从产品开发、工艺创新等方面提升的能力，其发展道路只能越走越窄，到头来会发现这是条死胡同。其实，在价格战的博弈中，企业完全可以靠挖掘自身优势，获取更多利益。——靠产品说话，完胜价格战！

2月初，美国半导体协会公布，全球半导体产业在2016年营收已来到3389亿美元，创下有史以来的**纪录，整体较之2015年有了1.1%的增长。而以地区来看，中国大陆地区的增长*为喜人，其2016年的营收同比增长9.2%。报告指出，多项半导体产品部门表现格外亮眼，若以营收来看，逻辑产品占半导体营收**部门，2016年为915亿美元市占率27.0%，其次包括存储器的768亿美元以及包括微处理器在内的微IC贡献606亿美元则分占二、三名。至于传感器与致动器则是成长*快的部门，该年成长22.7%。其他出现成长的部门还包括NAND Flash，其营收为320亿美元并成长11.0%、数字信号处理器，营收与成长分别为29亿美元与12.5%、二极体(25亿美元及8.7%)、小型信号电晶体(19亿美元与7.3%)以及模拟产品(478亿美元与5.8%)。那么这些营收主要由哪些公司控制，每个公司的主力产品部门又是什么呢？根据IC Insights的预测，全球前20半导体公司的排名如下，我们来看一下每个公司2016年的营收状况和不同产品线的贡献。1、英特尔英特尔2016财年收入594亿美元，相比2015财年的554亿美元增长7%；净利润为103亿美元，比2015财年的114亿美元下降10%；每股收益为2.12美元，比2015财年的2.33亿美元下降9%。值得注意的是，部分下降来自于服务器芯片业务，而这在传统上是英特尔*有利可图的部分。2016年，英特尔的云计算销售额增长了30%。大型云计算服务，比如谷歌的云平台、亚马逊的AWS、微软的Azure都花费了数十亿美元来建造大型数据中心，来处理线上的数据和服务。服务器芯片也因此成为英特尔的主要增长动力。物联网业务也是英特尔押注的重点。然而物联网业务也表现不错，除了二季度表现低迷外，其他三个季度营收和利润均高于去年同期。2016全年收入26.38亿美元，2015年为22.98亿美元，同比增长14.8%；2016年运营利润为5.85亿美元，2015年为5.15亿美元，同比增长13.6%。2、三星2016年整体来看，三星电子的总营收为1736.49亿美元，较2015财年增长0.6%;营业利润为251.52亿美元，同比增长10.7%。这主要得益于半导体和显示面板两个部门的发力。从三星的财报显示，其半导体业务2017年营收为440.07亿美元，占三星电子当年营收的25.34%，运营利润为116.99亿美元，运营利润率高达26.58%，与2015年相比增长了7.5%。当中主要的营收来源是memory。根据三星的数据显示，2016年，三星memory创造的营收高达325.67美元，占三星半导体营收的74%，而与2015年相比，则增长了10%。根据三星方面表示，这主要得益于终端对memory的强烈需求。三星预估，2017年，移动和服务器产业的强烈需求将会为三星带来强烈的成长动力。而DRAM也会推进到1Xnm。另外，三星也会在2017年增强其64层 V-NAND的竞争力。另外还会聚焦在晶圆厂客户服务和10nm相关产品的推广，这些将会构成三星2017的营收动力。而显示部的营收也是三星的营收支柱。2016年，得益于OLED业务的强势表示，三星的显示部门收入为231.65亿美元，但是因为TV面板的的产线转移，三星的DP营较之2015下降了2%。但考虑到苹果iPhone8可能转单OLED，这块业务势必会给三星带来更好的财务表现。3、台积电根据财报资料显示，台积电2016 年营收来到297.65亿美元，较2015 年增加12.4%，而税后纯益达到104.95 亿美元，也较2015 年成长9% 的比例。而细分台积电2016年的营收，则可以得到以下数据：从应用上来划分，台积电2016年的主要营收来自消费领域，占其总营收的32%，而通信和计算器则分别以16%和15%屈居其后。但如果从技术上区分的话，为台积电2016年营收贡献**的技术节点为16/20nm，所占台积电的营收份额的28%。紧跟其后的是28nm工艺，占领营收的26%。较之2015年，16/20nm新工艺的成长比较快，但是28nm的还是保持不变。展望在新的一年台积电推进10nm，也会带来一些不错的表现。4、高通根据高通　2016财年GAAP数据显示，高通全年实现营收236亿美元（1595亿人民币），同比下降7%；实现净利润57亿美元（385亿人民币），同比增长8%；其中高通CDMA技术集团（QCT）芯片出货量8.42亿片，实现营收154.09亿美元，但较之2015年下降了10%。税前利润更是从前一年的24.65亿美元降到了18.12亿美元，跌幅高达26%；而高通技术授权部门（QTL）实现营收76.64亿美元，较前一年的营收下降了4%。税前利润也较千年下降了5%，跌到65.28亿美元。值得一提的是，2016年高通技术授权部门的税前利润率高达85%。而从设备上看，预估3G/4G设备出货量为13.64亿至13.80亿部，预估3G/4G芯片平均销售价格为每部192至198美元.。5、博通根据新博通公司的财报，2016年他们的净营收为132.4亿美元，较2015年上升了95%，这主要得益于博通和Avago的兼并带来的推动。而新博通的毛利为58.4亿美元，占营收的44.9%。而在2015年，这两个数据分别为35.53亿美元和52.1%。而营收按照领域划分，贡献**的应该是有线基础设施业务，这块业务在2016年第四季度带来的营收为20.74亿美元。另外还有企业级存储，工业和其他产品领域。6、SK海力士SK海力士是全球第二大存储芯片制造商，仅次于三星电子。在2016财年，他们的用手为154.78亿美元，较2015年下降了9.3%。而毛利则为57.7亿美元。从产品线上看，DRAM和NAND是SK海力士营收的主力。而从应用上分析，DRAM的**消耗户来自移动领域，之后服务器市场也是SK海力士DRAM营收的重要组成部分。PC的营收则在SK海力士的DRAM营收中排第三。剩下的是图形和消费市场。去到NAND，贡献**的是嵌入式移动产品。紧接着就是SSD，之后还有USB/card等。从以上数据我们可以看出，无论是DRAM还是NAND Flash，SK海力士都极度依赖于移动设备。而大家也看到现在的移动市场的萎缩，加上DRAM在PC中的重要组成。所以对于SK海力士来说，需要寻找一个更有潜力的发展方向。7、美光从美光的财报我们可以看到，美光2016年的营收为123.99亿美元，较2015年的161.92亿美元下降了23.4%。而美光的毛利也有25.05亿美元，毛利率为20%。从产品上看，美光的产品主要是由DARM和非易失性存储组成，当中DRAM是美光的营收贡献大头，但是在过去几年，这块业务的主导力量正在减弱。在2016年，美光DRAM共吸纳的营收为72.07亿美元，占美光总营收的58.13%。但这个数字在2015年和2014年则分别为63.8%和68.2%。所以在2016年，面临DRAM冲击的美光选择了收购台湾的华亚科，扩大自己在DRAM领域的影响力。从部门上看，美光的营收主要由CNBU、SBU、MBU和EBU四个部门组成。其中CNBU是计算和网路业务部，SBU是存储业务部，MBU是移动业务部，EBU是嵌入式业务部。从上表我们可以看出，EBU是美光营收贡献**的部门，但是所占的份额正在每月缩小，其中2016年带来的营收为45.29亿美元；而SBU部门的的营收则为美光第二大营收部门；MBU是第三大业务部，需要重要提醒一下，在2016年，这个部门的营收较之前一年有了明显的下滑，下滑幅度高达30.42%。从运营收入上看，SBU部门带来的亏损是**的，而CNBU部门则从去年的大挣14.81美元变成今年的亏损1.34亿美元，这与PC市场的亏损有关，也与美光的响应不够循序有不可磨灭的关系。另外还值得一提的是，MBU部门的运营收入下降幅度更是高达96.5%。所以说手机和PC市场的大市场表现不佳，美光需要寻找更好的增长方向。8、德州仪器根据德州仪器1月25日公布的财务报告显示，2016年度，德州仪器营收133.7亿美元，较2015年130亿美元增长了2.8%。而净收入则为35.95亿美元，较之2015年的29.86亿美元增长了20.39%。其营收主要由两大业务构成模拟和嵌入式业务，这个也是德州仪器的主要产品方向。其中模拟业务更是其营收大头。根据财报表示，由于Silicon Valley Analog 和High Performance Analog的增长，加上电源管理产品的增长，德州仪器的模拟业务营收在2016年较之上年增长了2%；嵌入式业务方面，由于嵌入式处理器的成长，带来了8%的营收增长和34%的运营利润增长；至于其他，根据德州仪器表示，DLP的成长很不错，但由于ASIC产品和计算器业务的萎缩，导致了该部分的营收同比下降了3%，运营利润下降了2%。而归根到底这主要得益于德州仪器几年前放弃移动处理器业务，然后聚焦工业和汽车业务。9、东芝由于核事业部门的拖累，东芝2016的财报一片哀鸿。2月14日停盘后，东芝发布了预测性的财报，东芝估计2016财年前三财季亏损4999亿日元(44亿美元)，3月31日止的2016财年年度净损将达3900亿日元(34.4亿美元)。其中作为东芝的支柱业务，投资的美国核能业务本年度可能亏损高达7125亿日元(约合62.7亿美元)。不过有预测分析，东芝将公布的数字会比预期更差。以NAND芯片为主的业务一直是东芝*核心，也是**钱的业务。在全球市场上，三分之一的闪存由三星供应，而东芝则以20%的市场占有率位居第二。紧跟在后面的是西部数据。美光和SK海力士各占10%。通过NAND芯片的自给自足，东芝和西数可以更低的成本垂直开发新的存储设备，包括U盘、固态硬盘以及存储卡等等，从而获得更高的利润。但现在为了弥补核电带来的亏损，东芝正在谋划卖掉这个业务，如果真这样做，明年还能不能回到这个榜单，还是未知之数。10、恩智浦根据NXP的财报显示，2016年，该公司的营收为94.98亿美元，与2015年相比，营收增加了56.1%。毛利则为40.69亿美元，毛利率高达42.8%。从产品上看，恩智浦2016年的**营收来源来自于汽车电子产品，营收高达33.79亿美元，较之2015年增长了152%，这是NXP的支柱。在未来的汽车智能化浪潮中，这是NXP **质的一块资本；而安全连接设备则为NXP的第二大产品线，为NXP的营收贡献了21.46亿美元，也同比增长了70%；安全接口和基础设施则是恩智浦的第三大营收来源，这部分业务2016年的营收较2015年提高了59%，*终得到的收入为18.24亿美元，接下来就是标准产品，其创造的营收为12.2亿美元，较上一年轻微下降。而安全认证方案则为NXP带来了7.37亿美元的营收，不过同比下降了24%。可以说，初标准产品外的高性能混合信号产品是NXP营收的主要来源。占有NXP 2016年营收的86.89%份额。11、联发科联发科2016财年的营收为87.88亿美元，同比增长了29.2%。毛利收益为38.29亿美元，毛利率也跌破了35.6%。联发科原预估，本季智能手机和平板电脑晶片出货量可达1.45亿到1.55亿套，季增6.9%以内，成长幅度原本就因自家晶片缺货情况而受到抑。受限于代工厂28奈米的产能利用率一路吃紧，市场预期，联发科晶片缺货情况恐怕会延续至年底。尤其是面板的缺货情况比手机主晶片还严重，更加打乱第3季的手机供应链秩序，都让市场忧心联发科本季营收达成财测目标有压力。联发科发言窗口强调，目前对本季财测看法没有改变。法人认为，该公司本季业绩即使达阵，也可能是趋近于低标。12、英飞凌英飞凌2016年的营收为64.73亿英镑（约合80.53亿美元），与2015年相比，英飞凌在2016的营收提升了12%。毛利为2330，这就使得毛利率高达36%。若以业务范围来区分，英飞凌2016年的主要营收来自于汽车电子，占总营收的41%；跟随的是能源管理和相关市场，营收占领2016收入中的32%。接下来还有工业电源管理、芯片卡等业务。 英飞凌方面认为，未来的混合物半导体的成长，将会给英飞凌带来新的成长机会。至于为英飞凌贡献营收的产品，可以围绕在可再生能源、自动化、无刷直流电机、网络和传感器系统、安全和汽车电子这几大类。值得一提的是，英飞凌在IGBT这些功率半导体市场，市场份额是****的。13、意法半导体ST的财报显示，他们2016年的营收为69.7亿美元，比2015年的69亿美元增幅1.1%。不含退市业务(旧的移动产品、相机模块和机顶盒)，净收入增长2.4%。2016年全年毛利率为35.2%，比2015年的33.8%增长了140个基点，制造效率提高、扣除套期保值的汇率因素正面影响、闲置产能支出降低和产品组合优化是毛利率增长的主要原因，不过，正常价格压力抵消了部分增长动能。2016年，ST的营业利润大幅增长，从2015年的1.09亿美元增至2.14亿美元。2016年减值重组支出前营业利润(1) 同样大幅增长，从2015年的1.74亿美元增至3.07亿美元，扣除套期保值的汇率因素正面影响、制造效率、产品组合优化和更低的营业支出是营业利润增长的主要原因，不过，价格压力和较少研发经费拨款抵消了部分增长动能。而以具体产品来分类，ST的营收大头是由汽车和分立器件产品部（ADG）提供。2016年该事业部的收入为28.13亿美元，占总体营收的40.34%，与2015年相比，有了稍微的提升；微控制器和数字IC产品部（MDG）则为ST的第二大营收来源，同比稍有下降，2016年的收入为22.85亿美元，占当年营收的32.77%，同样同比下降；排在第三的则为模拟器件和MEMS产品部（AMG），2016年的营收为15.84亿美元，份额为22.72%，下降幅度也比较明显；剩下的则来自其他产品线。从利润上看，ST的2016全年净利润增长58%，总计1.65亿美元，每股收益0.19美元，而2015年净利润1.04亿美元，每股收益0.12美元。14、APPLE凭借自身庞大的销量，苹果公司的处理器等半导体业务为苹果带来了不错的营收，并在全球半导体排名中将很多纯粹的半导体公司压在身后。2016年，苹果的研发费用高达100亿美元，远远高于2015年的81亿美元以及2014年的60亿美元。按照销售收入占比来算，苹果去年花费了5%的收入用于研发，高于过去3%的比重。在芯片领域，苹果一直在设计自有的A系列处理器，交给三星电子和台积电来代工。苹果无需从高通采购应用处理器，这成为苹果手机的一个差异化亮点。另外苹果也在设计用于各种小设备的专用芯片，比如苹果手表、无线耳机等。除了为 iPhone 、iPad 和 Apple Watch 设计的 A 系列芯片之外，苹果已经开始为越来越多的产品线开发芯片。2015年，我们在第一代 Apple Watch 上看到了苹果第一枚 SiP（System-in-Package）系统级封装的小芯片：Apple S1，这是一枚针对可穿戴设备量身设计的超微型芯片在2016年已经升级为二代S2了。而在2016年发布的Airpods上，搭载了苹果的W1芯片，相信随着后续的更新，这些部分也会为持续贡献营收。但从财报没能看到具体来自各个不同产品和部门的数据。15、SONYSONY公司的半导体业务，需要重点记下一笔的就是其CMOS Sensor服务。*近几年，SONY的这系列产品打败了包括OV、三星在内的对手，成为旗舰手机的**选择。由于SONY的财年是到3月份，所以我们目前能看到的SONY营收是SONY官方预测的。根据SONY官方显示。Sony将今年度(2016年4月-2017年3月)影像感测器销售额目标从43.12亿美元上修至47.52亿美元，将较上年度的42.03亿美元成长13%。Sony之CIS感光元件占公司营收比重达80~90%，其中约九成应用在手机，一成应用于数字相机。据报导，Sony当前会将影像感测器月产能维持在8.5万片的水准，2017年4月以后的产量将视届时的需求动向来决定。16、英伟达2月18日消息，计算机图形芯片制造商英伟达(Nvidia)今天发布了2016财年第四季度及全年财报。根据财报显示，2016年英伟达的营收高达50.1亿美元，毛利率创造了有史以来**水平的56.1%。而相比于2016年，英伟达的营收增加了7%。仅为商业目的传播，不代表本刊观点其中GPU部门是英伟达的**营收来源。在2016年，该部门贡献的营收高达41.87亿美元。占英伟达当年营收的83.57%。较之2015年则增长了9%。这主要得益于英伟达针对人工智能和深度学习的火热，而拥有先天优势的GPU则可以带来不错的收益。*早入局的Nvidia则成为了受益者。需要提一下，英伟达的GPU中，高端的Geforce GPU是针对游戏开发的，而Tesla系列则是针对数据中心做的开发。由于云服务带来的数据增长，给Tesla系列带来不错的收入。另外Tegra业务带来的营收则较2015年下降了3%，从5.79亿美元降到5.59亿美元。17、瑞萨由于小编没有找到瑞萨2016年全年的营收，因此把上半年的数据与大家分享一下。瑞萨电子(Renesas Electronics)宣布2016年财年上半年(从2016年4月1日到2016年9月30日)合并财务业绩。上半财年净销售额3046亿日元，营业利润331亿日元，净利润194亿日元。18、GlobalFoundries据数据显示，格芯2016 年销售金额成长 10%，来到 55.45 亿美元，市占率维持在 11%。格芯是全球晶圆代工第 2 把交椅，之前向三星取得 14 纳米技术授权后，目前已进入量产。至于 7 纳米技术部分，格芯也预计 2018 年第 1 季进行试量生产，已有客户进行设计及认证，主要针对**能运算市场所设计，特别是在服务器及数据中心采用的芯片。19、安森美2016年总收入为39.069亿美元，较2015年之34.958亿美元增加约12%。2016年总收入包括来自Fairchild的出资约4.11亿美元。于2016年，公司录得GAAP净收入1.821亿美元，相当于每股摊薄股份0.43美元。2016年的所得税前GAAP收入包括特别项目费用2.315亿美元，当中包括相关收购的无形资产摊销1.048亿美元。有关其余费用及特别项目的详情载于附表。于2015年，公司录得GAAP净收入2.062亿美元，相当于每股摊薄股份0.48美元。2015年的所得税前GAAP收入包括特别项目费用净额1.598亿美元。安森美终端市场涵盖汽车、通信、电脑、消费以及工业/ 航空/ 国防/ 医疗。20、UMC电执行长颜博文指出，合计2016 年联电合并营收来到1,478.7 亿元，较2015 年增加2.1%，净利83.16 亿元，则较2015 年减少38.2%，每股EPS 为0.68 元。2016 年第4 季在晶圆制造的项目上，营收为382.2 亿元，整体产能利用率增加至94%。出货量以8 吋晶圆计算，约为166 万片。整体来说，联电第4 季的28 与40 纳米产能利用率，维持90% 以上的水准。另外，在8 吋晶圆的制造上，受惠于消费性电子与通讯市场需求提升，也使得8 吋产能利用率接近满载水准。展望2017 年，颜博文表示，第1 季在季节性调整的影响下，产能利用率虽有所下降，但仍将维持约90% 的水准。至于在晶圆出货量上，也预期将下降1%，而产品平均销售单价则下滑约3% 的金额。联电2016 年因为有厦门12 吋厂的建厂需求，使得整体资本支出达到28 亿美元的金额。而在厦门12 吋厂于2016 年11 月正式进入量产之后，预估2017 年的资本支出金额将下降至20 亿美元。至于，14 纳米先进制程方面，在经过与客户沟通与合作讨论后，14 纳米制程技术在电性速度与耗电量的表现已经符合产业水准，近期良率也达到客户要求，预计自2017年第1 季开始出货。